สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ
3(3-0-6)
วิชาบังคับก่อน: ENG29 2113 อิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม
การศึกษาหลักการทำงานของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำสมัยใหม่ซึ่งสัมพันธ์กับการเชื่อมโยงคุณสมบัติต่าง ๆ ไปยังโครงสร้างภายในของสิ่งประดิษฐ์นั้น และทำความเข้าใจถึงคุณสมบัตินั้นว่าเปลี่ยนแปลงกับเงื่อนไขการทำงานอย่างไร สิ่งประดิษฐ์ต่าง ๆ ที่นำมาศึกษาประกอบไปด้วย ไดโอดชนิดรอยต่อพี-เอ็น เซลล์แสงอาทิตย์ ทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อชนิดไบโพลาร์ ทรานซิสเตอร์ประเภทผลของสนามไฟฟ้า ไดโอดเปล่งแสงเลเซอร์ชนิดสารกึ่งตัวนำ และรวมถึงพื้นฐานของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำสำหรับงานสวิตชิง เช่น ทรานซิสเตอร์รอยต่อเดียว และสิ่งประดิษฐ์ตระกูลไทริสเตอร์
ผลสัมฤทธิ์การเรียนรู้
Prerequisite: ENG29 2113 Engineering Electronics
This course describes the operating principles of modern semiconductor devices, relates terminal properties to their internal structure, and gives an understanding of how terminal properties will change with operating conditions. Devices covered include p-n junction diodes, solar cells, bipolar junction transistors, field effect transistors (MOSFETs), light-emitting diodes, semiconductor lasers, and fundamental switching devices including uni-junction transistor (UJT) and thyristors.
Learning outcomes