สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำขั้นสูง
4(4-0-8)
วิชาบังคับก่อน : ไม่มี
มีการศึกษาหลักการการทำงานของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำสมัยใหม่ซึ่งสัมพันธ์กับการเชื่อมโยงคุณสมบัติต่าง ๆ ไปยังโครงสร้างภายในของสิ่งประดิษฐ์นั้น และทำความเข้าใจถึงคุณสมบัตินั้นว่ามีการเปลี่ยนแปลงกับเงื่อนไขการทำงานอย่างไร สิ่งประดิษฐ์ต่าง ๆ ที่นำมาศึกษาประกอบไปด้วย ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็น เซลล์แสงอาทิตย์ ทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อชนิดไบโพลาร์ ทรานซิสเตอร์ประเภทผลของสนามไฟฟ้า(MOSFETs) ไดโอดเปล่งแสง เลเซอร์ชนิดสารกึ่งตัวนำ ในรายวิชาเน้นถึงการประยุกต์ใช้งานต่าง ๆ ของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดสารกึ่งตัวนำและอุปกรณ์โฟโตนิกส์ชนิดสารกึ่งตัวนำ (ไดโอดเปล่งแสง และเลเซอร์)
เค้าโครงรายวิชา
1. ทบทวนฟิสิกส์ และคุณสมบัติต่าง ๆ ของสารกึ่งตัวนำ (6 ชั่วโมง)
2. ไดโอดชนิดรอยต่อพี-เอ็น และเซลล์แสงอาทิตย์ (8 ชั่วโมง)
3. ทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อชนิดไบโพลาร์ (6 ชั่วโมง)
4. รอยต่อระหว่างโลหะและสารกึ่งตัวนำ (ชอตต์กีไดโอด) (6 ชั่วโมง)
5. โครงสร้างสารกึ่งตัวนำ-โลหะ-ออกไซด์ (MOS) (6 ชั่วโมง)
6. ทรานซิสเตอร์ประเภทผลของสนามไฟฟ้า (6 ชั่วโมง)
7. ไดโอดเปล่งแสง และ เลเซอร์ชนิดสารกึ่งตัวนำ (6 ชั่วโมง)
8. สารกึ่งตัวนำแบบผสม และหัวข้อศึกษาขั้นสูง (4 ชั่วโมง)
ผลสัมฤทธิ์การเรียนรู้
นักศึกษาที่ผ่านรายวิชานี้มีความสามารถ ดังนี้
1. มีความเข้าใจปัญหาเกี่ยวกับสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำขั้นสูงในงานวิศวกรรมไฟฟ้าได้
2. สามารถเข้าใจวิธีแก้ปัญหาและประยุกต์การแก้ปัญหาสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำขั้นสูงในงานวิศวกรรมไฟฟ้าได้
Advanced Semiconductor Devices
Prerequisites : None
This course describes the operating principles of modern semiconductor devices, relates terminal properties to their internal structure, and gives an understanding of how terminal properties will change with operating conditions. Devices covered include p-n junction diodes, solar cells, bipolar junction transistors, field effect transistors (MOSFETs), light-emitting diodes, semiconductor lasers. This course also provides the emphasis on photovoltaic (semiconductor solar cells) and photonic (semiconductor LEDs and lasers) applications
Course Outline
1. Revision of semiconductor physics and properties (6 hours)
2. P-N junction diodes and solar cells (8 hours)
3. Bipolar junction transistors (6 hours)
4. Metal-semiconductor contacts (Schottky diodes) (6 hours)
5. Metal oxide semiconductor (MOS) structures (6 hours)
6. Field effect transistors (MOSFETs) (6 hours)
7. Light-emitting diodes and semiconductor lasers (6 hours)
8. Compound semiconductors and advanced topics (4 hours)
Learning Outcomes
Having successfully completed this course, students must be able to:
1. Understand problems concerning Advanced Semiconductor Devices
2. Understand and apply appropriate method for solving problems related to Advanced Semiconductor Devices