Direct to Dean

Electron Microscopy and Diffraction Techniques for Materials Characterization

จุลทรรศนศาสตร์อิเล็กตรอนและเทคนิคการเลี้ยวเบนสำหรับการบ่งลักษณะวัสดุ

4(3-3-9)

วิชาบังคับก่อน : ไม่มี

เรขาคณิตของแลตทิซ ปริภูมิส่วนกลับ ดัชนีมิลเลอร์ โครงสร้างผลึก สมมาตรผลึก การฉายแบบสเตอริโอกราฟ จุลทรรศนศาสตร์อิเล็กตรอน การกระเจิงและการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอน การเลี้ยวเบนแบบเลือกพื้นที่ การตีความรูปแบบการเลี้ยวเบนแบบเลือกพื้นที่ การเลี้ยวเบนลำอิเล็กตรอนมุมสอบ แบบรูปการเลี้ยวเบนแถบคิคูชิ การเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนกระเจิงกลับ

ผลสัมฤทธิ์การเรียนรู้

  1. เรขาคณิตของแลตทิซ ปริภูมิส่วนกลับ ดัชนีมิลเลอร์ (3 ชม.)
  2. โครงสร้างผลึก สมมาตรผลึก (6 ชม.)
  3. การฉายแบบสเตอริโอกราฟ (6 ชม.)
  4. จุลทรรศนศาสตร์อิเล็กตรอน (3 ชม.)
  5. การกระเจิงและการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอน (3 ชม.)
  6. การเลี้ยวเบนแบบเลือกพื้นที่ การตีความรูปแบบการเลี้ยวเบนแบบเลือกพื้นที (9 ชม.)
  7. การเลี้ยวเบนลำอิเล็กตรอนมุมสอบ (3 ชม.)
  8. แบบรูปการเลี้ยวเบนแถบคิคูชิ การเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนกระเจิงกลับ (3 ชม.)
  9. การฝึกเทคนิคจุลทรรศนศาสตร์อิเล็กตรอน (36 ชม.)

ผลสัมฤทธิ์การเรียนรู้

  1. อธิบายโครงสร้างผลึกด้วยนิยามของตำแหน่งอะตอม หน่วยเซลล์และสมมาตรผลึกได้
  2. วิเคราะห์แบบรูปการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนชนิดต่าง ๆ ได้
  3. ตีความแบบรูปการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนของวัสดุที่สนใจได้

ความรับผิดชอบต่อผลลัพธ์การเรียนรู้ของหลักสูตร

  1. บัณฑิตสามารถประยุกต์ใช้ความรู้ในหัวข้อหลักและทฤษฎีที่เกี่ยวข้องในการแก้ปัญหาทางวิศวกรรมวัสดุ (PLO2)

Electron Microscopy and Diffraction Techniques for Materials Characterization

Prerequisite : None

Lattice geometry; Reciprocal space; Miller indices; Crystal structures; Crystal symmetry; Stereographic projection; Electron microscopy; Electron scattering and diffraction; Selected area electron diffraction (SAED); Interpretation of SAED patterns; Convergent beam electron diffraction (CBED); Kikuchi band diffraction patterns; Backscattered electron diffraction (EBSD).

Course Outline

  1. Lattice geometry, Reciprocal space, Miller indices. (3 hr.)
  2. Crystal structures, Crystal symmetry. (6 hr.)
  3. Stereographic projection. (6 hr.)
  4. Electron microscopy. (3 hr.)
  5. Electron scattering and diffraction. (3 hr.)
  6. Selected area electron diffraction (SAED), Interpretation of SAED patterns. (9 hr.)
  7. Convergent beam electron diffraction (CBED). (3 hr.)
  8. Kikuchi band diffraction patterns, Backscattered electron diffraction (EBSD). (3 hr.)
  9. Practicing Electron Microscopy Techniques. (36 hr.)

Learning Outcomes

  1. Explain the description of a crystal structure in terms of atom positions, unit cells, and crystal symmetry.
  2. Demonstrate the ability to analyze various types of electron diffraction patterns.
  3. Interpret electron diffraction patterns of materials of interest.

Alignment with the following PLO:

  1. Graduates apply general knowledge of core topics and theory to solve problems in Materials Engineering. (PLO2)